“功成不必在我，功成必定有我。”
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公司在近期调研中释放的产品进展，试图为扩产提供支撑：700V高压BCD产品工程阶段取得重大突破，计划2026年释放产能；与芯微泰克合作的1200V背道激光退火超薄片IGBT进入工程批试样。技术突破与扩产规划形成对应，看似具备落地基础，但产能释放与市场需求、客户验证之间的时间差，仍然具备不确定性。
EMIB-T，即“EMIB with TSV（Through-Silicon Via）”，是在英特尔原有EMIB（嵌入式多芯片互连桥）技术基础上的一次关键升级。传统EMIB利用嵌入在封装基板中的硅桥，实现多颗裸晶之间的高速互连。
Израиль нанес удар по Ирану09:28